梁骏吾（1933.9.18 - ），研究员，中国工程院院士。湖北武汉人。1955年毕业于武...

梁迅玮

梁骏吾（1933.9.18 -    ），研究员，中国工程院院士。湖北武汉人。1955年毕业于武汉大学化学系。1956——1960年曾在苏联科学院冶金研究所从事半导体材料研究，获博士学位。1960年起为中国科学院半导体研究所研究员，华中工学院兼职教授。专长于半导体材料。20世纪60年代解决了高纯区熔硅的关键技术；1964年制备出室温激光器用GaAs液相外延材料；1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶；20世纪80年代首创了掺氮中子擅变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题；20世纪90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将我国超晶格量子阱材料推进到实用水平。主持“七五”“八五”重点硅外延攻关，完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。曾获1964年国家科委重大科技成果奖，中国科学院科技进步奖1等奖1次、中国科学院重大成果1等奖两次，以及部级奖励多次。1997年当选为中国工程院院士。